1、可控硅的概念

　　可控硅也称作晶闸管，电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，并且不像继电器那样控制时有火花产生，而且动作快、寿命长、可靠性好。可控硅投切电容器，是利用了电子开关反应速度快的特点。采用过零触发电路，检测当施加到可控硅两端电压为零时，发出触发信号，可控硅导通。此时电容器的电压与电网电压相等，因此不会产生合闸涌流，解决了接触器合闸涌流的问题。

　　2、主要参数

　　u电压平均值

　　额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极--阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。

　　u峰值电压

　　正向阻断峰值电压VPF在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值；反向阻断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。

　　u电流

　　额定通态电流（IT）即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。

　　u耐压

　　反向重复峰值电流（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。

　　u触发电流

　　控制极触发电流（IGT），俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。

　　u额定正向平均电流

　　在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值。

　　控制极触发电流1g1、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极--阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。

　　维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。

　　3、主要性能优点

　　1.无涌流，对系统无影响。

　　2.大功率晶闸管在一个谐波周期内完成电容器的投切，无论系统无功量变化多么频繁，补偿装置都能实现动态无功功率跟随补偿，其响应时间≤20ms。

　　3.动态跟随补偿的快速性，可对系统谐波作同步谐波滤除治理。

　　4.可做大容量，也可以做小容量，最大带90Kvar；若300Kvar的补偿整柜按30+45+60+75+90分组可在实现30Kvar倍数的前提下减少5个支路，增加8种补偿容量（45、75、105、135、165、195、225、255）。

　　5.晶闸管投切开关通常用三只单相的可控硅固定在铝合金强制风冷散热模块上，后期维护方便，如出现某只可控硅损坏可快速更换，其他可控硅可继续使用。

　　6.动态跟踪系统无功功率实时进行一步到位补偿，漏补无功功率最小，适用场合不受负荷变化、谐波大小、系统容量的影响。

　　5、应用领域

　　用户可根据工程上的要求，有目的进行选型，以实现满意的技术经济性能。对于需要快速频繁投切电容补偿的用户，如商场、酒店、写字楼、商业综合体等场所，电焊、电梯、空调等设备，应选用无触点可控硅投切电容装置，才能达到应有的补偿效果。对于其它一般工厂、小区和普通设备，无功量变化时间较快的场合，还是考虑选用对电网无冲击、安全、经济、使用寿命长的无触点可控硅进行电容器的投切。